徐自亮
【姓名】 徐自亮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 五元系,系化合物,相淀积,化学汽,InGaN,半导体工艺,金属有机物,半导体薄膜,溶隙,晶格常数,几何表示,InGaN单晶,晶格匹配,LP－MOCVD,组分,外延层,生长温度,禁带宽度,固相组分,组分...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]童玉珍，张国义，徐自亮，党小忠，杨志坚，金泗轩，刘弘度，王舒民.LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜[J]半导体光电.1996,(02)
[2]徐自亮,徐万劲,李力,杨澄清,刘弘度.五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算[J]半导体学报.1998,(10)
[3]徐自亮,徐万劲,李力,杨澄清,刘弘度.过冷度对Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs LPE生长的影响[J]北京大学学报(自然科学版).1998,(05)
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