夏志良
【姓名】 夏志良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高k栅介质,时变击穿,双栅,肖特基势垒,阈值电压,电压模型,栅介质,可靠性,击穿电荷,解析模型,软击穿,泊松方程,微电,MOS电容,电势分布,介质击穿,软击穿特性,数值模拟器,击穿场强,氧化层厚度,北...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]杜刚;刘晓彦;夏志良;杨竞峰;韩汝琦;.Effect of interface roughness on the carrier transport in germanium MOSFETs investigated by Monte Carlo method[J]Chinese Physics B.2010,(05)
[2]徐博卷;杜刚;夏志良;曾朗;韩汝琦;刘晓彦;.双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型(英文)[J]半导体学报.2007,(08)
[3]杨红,康晋锋,韩德栋,任驰,夏志良,刘晓彦,韩汝琦.Al_2O_3高k栅介质的可靠性[J]半导体学报.2003,(09)
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