王忠安
【姓名】 王忠安
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深中心,界面态,俘获截面,载流子,深能级,载流子分布,氢钝化,强反型,空间电荷区,产生寿命,MIS结构,能级,半导,准确测量,填充时间,少子产生寿命,浅施主,结电容,反型,少数载流子,界面态密度,电子...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]陈开茅,秦国刚,王忠安,金泗轩.消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面[J]物理学报.1984,(04)
[2]陈开茅,王忠安,冯初光,张蔷,高玉秀.Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布[J]半导体学报.1984,(05)
[3]陈开茅,陈凯来,王忠安.MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量[J]半导体学报.1984,(05)
[4]王忠安,陈开茅,秦国刚.原子氢钝化硅中与铜有关的缺陷[J]半导体学报.1985,(04)
[5]陈开茅,王忠安.硅中铜的深能级研究[J]电子科学学刊.1987,(03)
[6]王忠安,兰李桥.一种控制晶体管h_(FE)的新技术[J]半导体技术.1988,(03)
[7]王忠安,金泗轩,兰李桥.电子辐照晶体管的稳定性[J]半导体技术.1988,(06)
[8]王忠安,郭世民.利用电子辐照效应改造硅外延PNP晶体管[J]电子学报.1988,(02)
[9]王忠安.电子辐照晶体管的研究[J]半导体技术.1989,(03)
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