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秦志新
【姓名】
秦志新
【职称】
教授;
【研究领域】
无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
深紫外发光器件和探测器材料特性与器件物理的研究
【发表文献关键词】
GaN,氮化,分子束外延,室温,MSM,94K,氮化镓基LED,氧化,等离子体氮化,InN,XRD,欧姆接触,白光LED,GaAs,InGaN,光电探测器,接触特性,透明电极,MOCVD,英文,荧光粉...
【工作单位】
北京大学
【曾工作单位】
北京大学;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到36篇
[1]沈波;唐宁;杨学林;王茂俊;许福军;王新强;秦志新;.
GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用
[J]物理学进展.2017,(03)
[2]刘芳;秦志新;.
Effects of fluorine-based plasma treatment and thermal annealing on high-Al content AlGaN Schottky contact
[J]Chinese Physics B.2016,(11)
[3]蔡钧安;秦志新;.
纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高
[J]发光学报.2014,(08)
[4]李广如;秦志新;桑立雯;沈波;张国义;.
GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文)
[J]发光学报.2011,(03)
[5]李涛;秦志新;许正昱;沈波;张国义;.
Structural characterization of V/Al/V/Au Ohmic contacts to n-type Al_(0.4)Ga_(0.6)N
[J]Chinese Physics B.2011,(04)
[6]刘芳;秦志新;许福军;赵胜;康香宁;沈波;张国义;.
Thermal stability of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to AlGaN/GaN
[J]Chinese Physics B.2011,(06)
[7]赵胜;秦志新;刘芳;卢励吾;王新强;沈波;张国义;.
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善
[J]半导体光电.2012,(05)
[8]陶仁春;于彤军;贾传宇;陈志忠;秦志新;张国义;.
Strain effects on the polarized optical properties of InGaN with different In compositions
[J]Chinese Physics B.2009,(06)
[9]岑龙斌;沈波;秦志新;张国义;.
Influence of applied electric field on the absorption coefficient and subband distances in asymmetrical AlN/GaN coupled double quantum wells
[J]Chinese Physics B.2009,(09)
[10]岑龙斌;沈波;秦志新;张国义;.
Optimization of a solar-blind and middle infrared two-colour photodetector using GaN-based bulk material and quantum wells
[J]Chinese Physics B.2009,(12)
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中国重要会议全文数据库
共找到12篇
[1]唐宁;沈波;韩奎;卢芳超;许福军;秦志新;张国义;.
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]桑立雯;秦志新;方浩;代涛;杨志坚;沈波;张国义;张小平;俞大鹏;.
脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]赵胜;刘芳;秦志新;沈波;卢励吾;王新强;马楠;范顺飞;.
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN表面态的钝化效应
[A].第十二届全国MOCVD学术会议论文集.2012-04-11
[4]张国义;陈志忠;杨志坚;秦志新;胡晓东;章蓓;于彤军;童玉珍;丁晓民;.
半导体照明光源研究进展
[A].海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集.2003-12-01
[5]韩奎;沈波;唐宁;秦志新;杨志坚;张国义;林铁;朱博;周文政;褚君浩;.
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[6]贺小伟;沈波;唐宁;韩奎;杨志坚;秦志新;张国义;陈涌海;汤晨光;王占国;.
单轴应变对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏振自旋光电效应的影响
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[7]桑立雯;秦志新;杨志坚;沈波;张国义;.
GaN/AlGaN超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN位错密度的影响
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[8]黄森;沈波;王茂俊;许福军;王彦;杨海燕;林芳;秦志新;杨志坚;张国义;.
Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[9]鲁麟;沈波;许福军;许谏;黄森;杨志坚;秦志新;张国义;张小平;徐军;俞大鹏;.
高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[10]周绪荣;秦志新;鲁麟;沈波;岑龙斌;张国义;俞大鹏;.
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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承担国家科研项目及科技成果产出
承担国家科研项目
共找到2个
[1]秦志新;.
肖特基型AlGaN 太阳光盲紫外光探测器的研究
[A].北京大学;.项目经费 23万元.2004-03-31.资助文献数
5
篇
[2]秦志新;.
AlGaN基PIN太阳光盲雪崩探测器研究
[A].北京大学;.项目经费 40万元.2008-03-20.资助文献数
0
篇
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