王维义
【姓名】 王维义
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 空穴浓度,掺杂特性,外延生长,GaAs,液相,母液,迁移率,分配系数,镁掺杂,镁原子,掺镁,原子比,空穴迁移率,物理系,电学性质,北京大学,晶格散射,电离状态,生长层,外延层,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]刘宏勋,章蓓,王舒民,虞丽生,王维义,逄明雪,赵阳.在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性[J]半导体学报.1987,(02)
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