任晓堂
【姓名】 任晓堂
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 核科学技术;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 串列静电加速器,边引出,PIG离子源,负离子,RFQ加速器,电离器,同时加速,端引出,重离子,输电带,永磁体,物理研究所,加速器,正负离子,引出电压,钢筒,物理实验,束流,溅射,同荷质比,冷阴极,北京...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京海淀
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[10]任晓堂;华景山;蒋正元;巩玲华;付东坡;.EN串列静电加速器的维护运行[A].第五届北京核学会核技术应用学术交流会论文集.2008-10-01
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[1]任晓堂;.轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响[A].北京大学;.项目经费 35万元.2003-03-31.资助文献数 2
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