林昭炯
【姓名】 林昭炯
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级,杂质缺陷,GaAs,中子辐照,光峰,退火特性,n型,砷化镓,光致发光谱,深中心,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,热处理,DLTS,光致发光,半绝缘,发射峰,原始片,导带,GaAS,发光中心,杂质与缺陷,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]秦国刚,林昭炯.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的深能级杂质缺陷[J]发光与显示.1983,(03)
[2]张丽珠,林昭炯,王军,张伯蕊,尹庆民.中子辐照n型砷化镓退火特性的光致发光研究[J]北京大学学报(自然科学版).1985,(03)
[3]张丽珠,林昭炯,许惠英,秦国刚,王永鸿.n型砷化镓中1.36eV发光峰的研究[J]半导体学报.1986,(01)
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