李忠辉
【姓名】 李忠辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体材料生长与器件性能的研究
【发表文献关键词】 白光LED,InGaN,紫光LED,LPMOCVD,掺杂特性,InGaAlP,侧向外延生长,掺杂剂,氧化,氮化镓基LED,YAG,外延层,光源,正向电流,掺杂浓度,宽禁带半导体,MOCVD,物理学院,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]李忠辉,杨志坚,于彤军,胡晓东,杨华,陆曙,任谦,金春来,章蓓,张国义.MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED[J]发光学报.2003,(01)
[2]秦志新,陈志忠,于彤军,张昊翔,胡晓东,杨志坚,李忠辉,张国义.氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响[J]液晶与显示.2004,(01)
[3]杨志坚,胡晓东,章蓓,陆敏,陆羽,潘尧波,张振声,任谦,徐军,李忠辉,陈志忠,秦志新,于彤军,童玉珍,张国义.侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)[J]发光学报.2005,(01)
[4]李忠辉,丁晓民,于彤军,杨志坚,胡晓东,张国义.In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性[J]发光学报.2002,(05)
[5]李忠辉,丁晓民,杨志坚,于彤军,张国义.高亮度InGaN基白光LED特性研究[J]红外与毫米波学报.2002,(05)
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