黎子兰
【姓名】 黎子兰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 半导体光电子学方向的研究
【发表文献关键词】 GaN,94K,室温,MSM,InGaNLD,剥离,解理,穿透位错,MOCVD,InGaN,光电探测器,缓冲层,外延膜,激光剥离,腐蚀坑密度,外延片,探测器性能,量子阱,物理学院,介观物理,腐蚀坑,拉...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]黎子兰,胡晓东,章蓓,陈科,聂瑞娟,张国义.GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理[J]激光技术.2004,(01)
[2]陆敏,方慧智,陆曙,黎子兰,杨华,章蓓,张国义.腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性[J]半导体学报.2004,(04)
[3]陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义.多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J]半导体学报.2004,(05)
[4]陆敏,常昕,方慧智,杨志坚,杨华,黎子兰,任谦,张国义,章蓓.对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)[J]半导体学报.2004,(11)
[5]吕国伟,唐英杰,李卫华,黎子兰,张国义,杜为民.InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱[J]光谱学与光谱分析.2005,(01)
[6]包春玉,黎子兰,陈志忠,秦志新,胡晓东,童玉珍,丁晓民,杨志坚,张国义.94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文)[J]发光学报.2002,(05)
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