朱晖文
【姓名】 朱晖文
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 亚微米MOSFETs的性能模拟和高k薄膜的制备和特性研究
【发表文献关键词】 高k材料,栅介质,金属-氧化物-半导体场效应晶体管,高K材料,直流磁控溅射,热氧化,氧化钛,MOSFETs,电学特性,膜制备,后热,高K,英文,氧化钛薄膜,子学,微电,短沟,北京大学,high-k,直...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]朱晖文,刘晓彦,沈超,康晋锋,韩汝琦.亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性(英文)[J]半导体学报.2001,(09)
[2]朱晖文,赵柏儒,刘晓彦,康晋锋,韩汝琦.硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)[J]半导体学报.2002,(04)
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