|
[1]童玉珍,李非,杨志坚,金泗轩,丁晓民,张国义.蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究[J]光电子·激光.2000,(02)
|
|
[2]毛祥军,杨志坚,金泗轩,童玉珍,王晶晶,李非,张国义.快速退火Mg∶GaN的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(10)
|
|
[3]金泗轩,元民华,王兰萍,宋海智,王海萍,秦国刚International Center for Material Physics,Academia Sinica,Shenyang 110015,PRC,and Department of Physics,Peking University,Beijing 100871,PRC.Controlling the Schottky Barrier Height of Ti/n-GaAs Schottky Diode Containing Hydrogen by Biased Annealing[J]Science in China,Ser.A.1994,(06)
|
|
[4]童玉珍，张国义，徐自亮，党小忠，杨志坚，金泗轩，刘弘度，王舒民.LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜[J]半导体光电.1996,(02)
|
|
[5]陈开茅,贾勇强,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌.固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应[J]物理学报.1996,(02)
|
|
[6]陈开茅,金泗轩,贾勇强,邱素娟,吕云安,何梅芬,刘鸿飞.注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿[J]物理学报.1996,(03)
|
|
[7]陈开茅,张亚雄,秦国刚,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌.固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质[J]半导体学报.1997,(01)
|
|
[8]张国义,杨志坚,金泗轩,党小忠.低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED[J]物理.1997,(06)
|
|
[9]陈开茅,秦国刚,王忠安,金泗轩.消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面[J]物理学报.1984,(04)
|
|
[10]王忠安,金泗轩,兰李桥.电子辐照晶体管的稳定性[J]半导体技术.1988,(06)
|
|
更多
|