解冰
【姓名】 解冰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 表面产生速度,瞬态电容,弛豫谱,少子寿命,差值取样,子产,应力作用,谱方法,弛豫,电容差,线性区,峰位,斜率,峰高,敏度,耗尽状态,实验曲线,分谱,谱分析方法,氧化层,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]徐嘉悦;王茂俊;魏进;解冰;郝一龙;沈波;.GaN垂直结构器件结终端设计[J]电子与封装.2023,(01)
[2]蔡金宝;王金延;刘洋;徐哲;王茂俊;于民;解冰;吴文刚;.A novel oxidation-based wet etching method for AlGaN/GaN heterostructures[J]Journal of Semiconductors.2013,(08)
[3]解冰,何燕冬,许铭真,谭长华.一种新的确定少子产生特性的方法——瞬态电容弛豫谱方法[J]电子学报.1999,(05)
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