何进
【姓名】 何进
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 纳太CMOS器件模型和结构等
【发表文献关键词】 栅控二极管,界面陷阱,非对称线性缓变P-N结,SOI NMOSFET,界面电荷R-G电流,热载流子应力效应,等价掺杂转换理论,线性变化掺杂漂移区,击穿电压,等价掺杂,MOSFET/SOI,RESURF...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 广东深圳
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中国期刊全文数据库    共找到47篇
[1]张立宁;梅金河;张香煜;陶金;胡月;何进;陈文新;.A Comparative Study of Ballistic Transport Models for Nanowire MOSFETs[J]Chinese Physics Letters.2013,(11)
[2]马光金;李春来;何进;.不同激光等离子体条件下的阿秒光脉冲产生[J]强激光与粒子束.2022,(03)
[3]王秀梅;何进;王一非;王运佳;王文明;王伟丽;李世光;朱玺;刘国栋;王亮;刘亚轩;高连山;胡国庆;陈景标;.积分球冷原子钟一体化激光冷却与探测微波腔研究[J]时间频率学报.2022,(02)
[4]任源;潘俊;刘京京;何燕冬;何进;.人工智能芯片的研究进展[J]微纳电子与智能制造.2019,(02)
[5]梁海浪;何进;陈文新;.宽带跟踪保持放大器失真的分析和计算[J]微电子学与计算机.2014,(02)
[6]刘颖;何进;陈文新;杜彩霞;叶韵;赵巍;吴文;邓婉玲;王文平;.An analytic model for gate-all-around silicon nanowire tunneling field effect transistors[J]Chinese Physics B.2014,(09)
[7]魏益群;林信南;贾宇超;崔小乐;何进;张兴;.A SPICE model for a phase-change memory cell based on the analytical conductivity model[J]Journal of Semiconductors.2012,(11)
[8]王承;叶韵;梁海浪;何进;.基于多频测试和神经网络的模拟电路故障诊断[J]计算机工程与应用.2013,(05)
[9]张辰飞;马晨月;郭昕婕;张秀芳;何进;王国增;杨张;刘志伟;.Forward gated-diode method for parameter extraction of MOSFETs[J]半导体学报.2011,(02)
[10]何进;刘峰;周幸叶;张健;张立宁;.A continuous analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion region[J]Chinese Physics B.2011,(01)
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]何进;.双栅纳米FinFET的器件物理,模拟模型和电路设计技术研究[A].北京大学;.项目经费 39万元.2008-03-20.资助文献数 2
[2]何进.适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究[A].北京大学.项目经费 41万元.2009-03-20.资助文献数 0
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