学者知网节

【姓名】	韩汝琦
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	半导体器件物理、高温超导、微米纳米器件及介观物理方面的研究
【发表文献关键词】	BSIM3,参数提取,超深亚微米器件,肖特基势垒隧穿晶体管,器件模型,蒙特卡罗器件模拟,栅介质,肖特基势垒接触,高介电常数栅介质,二氧化铪薄膜,肖特基,量子化效应,势垒,UTB结构,电学特性,器件建模...
【工作单位】	北京大学
【曾工作单位】	北京大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到66篇

[1]吴畏;杜刚;刘晓彦;孙雷;康晋峰;韩汝琦;.A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect[J]半导体学报.2011,(05)

[2]刘福东;康晋锋;安辉耀;刘晓彦;韩汝琦;.一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型[J]北京大学学报(自然科学版).2009,(06)

[4]金锐;刘晓彦;杜刚;康晋锋;韩汝琦;.Effect of trapped charge accumulation on the retention of charge trapping memory[J]半导体学报.2010,(12)

[5]许洪华;刘晓彦;何毓辉;樊春;杜刚;孙爱东;韩汝琦;康晋锋;.Valence band variation in Si(110) nanowire induced by a covered insulator[J]Chinese Physics B.2010,(01)

[7]萨宁;康晋锋;杨红;刘晓彦;张兴;韩汝琦;.具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究[J]物理学报.2006,(03)

[8]孔令刚;康晋锋;王漪;刘力锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦;.Co_xTi_(1-x)O_(2-δ)体材中氢退火引起的铁磁性及结构相变[J]物理学报.2006,(03)

[9]陈勇;赵建明;韩德栋;康晋锋;韩汝琦;.HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取[J]半导体学报.2006,(05)

[10]王漪;孙雷;韩德栋;刘力锋;康晋锋;刘晓彦;张兴;韩汝琦;.ZnCoO稀磁半导体的室温磁性[J]物理学报.2006,(12)

中国重要会议全文数据库 共找到3篇

[1]杜刚;刘晓彦;孙雷;韩汝琦;.50nm肖特基隧穿晶体管(SBTT)特性模拟[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[2]刘晓彦;孙雷;杜刚;韩汝琦;.肖特基隧道晶体管中的量子效应[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[3]刘力锋;康晋锋;王漪;孔令刚;张兴;韩汝琦;.溶胶-凝胶法制备TiO_2:Co薄膜的磁性及其机制研究[A].第十二届全国磁学和磁性材料会议专辑.2005-11-01

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