林绪伦
【姓名】 林绪伦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 杂质分布,面电导,阳极氧化,花样图,扩散层,非晶硅,电子自旋共振,四探针,扫场,EPR谱,吸收曲线,四探针测量,微分迁移率,中子辐照,g因子,层厚度,坐标系,探针,微波功率管,电子顺磁共振,自旋密度,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]林绪伦，朱恩均.非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布[J]半导体学报.1995,(08)
[2]林绪伦.收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析[J]半导体学报.1995,(10)
[3]林绪伦，朱恩均.改善微波功率管小电流特性的模拟分析[J]电子学报.1995,(05)
[4]林绪伦,黄敞,徐炳华.用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布[J]物理学报.1964,(07)
[5]林绪伦;.非晶硅的电子自旋共振测量[J]贵金属.1981,(04)
[6]林绪伦.电子自旋共振及其在非晶硅中的应用[J]物理.1982,(06)
[7]林绪伦.硅中缺陷的电子顺磁共振旋转花样图[J]北京大学学报(自然科学版).1985,(02)
[8]林绪伦.中子辐照含氢硅中的一种新EPR谱[J]物理学报.1986,(06)
[9]林绪伦.平面掺杂的HEMT结构[J]微电子学与计算机.1989,(10)
[10]林绪伦.采用应变层量子阱的毫米波低噪声HEMT的进展[J]微电子学与计算机.1990,(02)
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