谢成城
【姓名】 谢成城
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 微盘激光器,有效增益因子,面发射,微盘,选模,多量子阱,InGaN,面发射模式,角模,覆盖层,反馈增益,远场分布,有源层,边发射,光学模式,图形刻蚀,调制因子,谐振波长,折射率,Ⅲ族氮化物,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]谢成城,王舒民.InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究[J]半导体光电.2000,(03)
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