武兰青
【姓名】 武兰青
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面态,MOS结构,p型硅,深能级,Si-SiO_2,DLTS,俘获截面,半导体表面,半绝缘GaAs,电荷势,DLTS测量,栅压,空穴,C_(70),电子俘获截面,费密能,反馈效应,价带,载流,深中心...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]陈开茅,孙文红,吴克,武兰青,周锡煌,顾镇南,卢殿通.固体C_(70)/Si异质结的界面电子态[J]半导体学报.2000,(04)
[2]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,乔永平,吴恩,朱美栋,秦国刚.碳在GaN中的形态[J]量子电子学报.2000,(05)
[3]陈开茅,孙文红,武兰青,张伯蕊,吴恩,孙允希,乔永平.固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[4]陈开茅,孙文红,吴克,武兰青,周锡煌,顾镇南,刘鸿飞.C_(70)/GaAs异质结的电学性质[J]半导体学报.2001,(08)
[5]陈开茅,武兰青,彭清智,刘鸿飞.p型硅MOS结构Si/SiO_2界面及其附近的深能级与界面态[J]物理学报.1992,(11)
[6]邱素娟,陈开茅,武兰青.注硅半绝缘GaAs的深能级[J]物理学报.1993,(08)
[7]陈开茅,金泗轩,武兰青,曾树荣,刘鸿飞.在p型硅MOS结构Si/SiO_2界面区中与金有关的界面态和深能级[J]物理学报.1993,(08)
[8]陈开茅,武兰青,许惠英,刘鸿飞.用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1993,(02)
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