李非
【姓名】 李非
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快速退火,GaN,Zn-掺杂,热退火,光致发光,InGaN有源区,Mg掺杂,高温生长,高温快速退火,介观物理,导带,发光性质,Zn掺杂,光峰,跃迁,退火时间,光致发光谱,价带,Mg掺杂GaN,能级,有...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]童玉珍,李非,杨志坚,金泗轩,丁晓民,张国义.蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究[J]光电子·激光.2000,(02)
[2]童玉珍,李非,杨志坚,张国义.高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究[J]半导体光电.2001,(02)
[3]毛祥军,杨志坚,金泗轩,童玉珍,王晶晶,李非,张国义.快速退火Mg∶GaN的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(10)
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