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王旭社
【姓名】
王旭社
【职称】
【研究领域】
仪器仪表工业;无线电电子学;
【研究方向】
CMOS集成电路设计和研究工作
【发表文献关键词】
电荷分享,环栅MOSFET,双栅MOSFET,阈值电压下降,短沟效应,环栅,双栅,MOSFET,阈值电压,电压下降,阈值,器件结构,强反型,模型公式,耗尽层,深亚微米,半导,器件性能,IEEE,子学,
【工作单位】
北京大学
【曾工作单位】
北京大学;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
/
2
1
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508
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]甘学温,王旭社,张兴.
双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降
[J]半导体学报.2001,(12)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]甘学温;王旭社;张兴;.
环栅和双栅MOSFET短沟效应分析
[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
王志玮
中国科学院微电子研究所
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
张兴
北京大学
2
甘学温
北京大学
2
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引用过该学者文献的学者
(学者,学者单位,篇数)
刘晓彦
北京大学
1
刘恩峰
北京大学
1
韩汝琦
北京大学
1
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