王铁松
【姓名】 王铁松
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅薄膜,多晶,硅膜,应力特性,本征应力,退火温度,压应力,应力松弛,张应力,内应力,薄膜应力,多晶硅,淀积温度,晶向,微结构,淀积条件,退火时间,晶粒尺寸,掺杂浓度,离子注入掺杂,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]张国炳,郝一龙,田大宇,刘诗美,王铁松,武国英.多晶硅薄膜应力特性研究[J]半导体学报.1999,(06)
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