雷晓钧
【姓名】 雷晓钧
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 垂直磁化,钴铬,STM,气化,TEA(TCNQ)2,晶粒形貌,热化学烧孔,显微形貌,磁畴,TCNQ,超高密度存储,存储材料,磁畴结构,焦耳热,信息存储,针尖诱导,烧孔,选区衍射,晶粒,气化模,热化学,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]张小平,潘国宏,孙允希,王勤堂,雷晓钧,孙玉秀,田芳.钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构[J]电子显微学报.2000,(04)
[2]雷晓钧,陈海峰,刘忠范.用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级信息存储[J]中国科学(B辑 化学).2001,(01)
[3]雷晓钧,陈海峰,刘忠范.DEA(TCNQ)_2与TEA(TCNQ)_2单晶上的STM热化学烧孔性能比较[J]物理化学学报.2001,(09)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张小平;潘国宏;孙允希;王勤堂;雷晓钧;孙玉秀;田芳;.钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构[A].第十一次全国电子显微学会议论文集.2000-06-30
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