赖初喜
【姓名】 赖初喜
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 刃口,钨薄膜,反应溅射,氮化,扩散势垒,离子束合成,节长,电子通道花样,沟道技术,卢瑟福背散射,SiO_2/Si,特性研究,Si/C,埋层,金属化系统,随机谱,SIMOX,溅射系统,互扩散,热退火,金...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京海淀
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]张利春,高玉芝,宁宝俊,夏宗璜,赖初喜.反应溅射氮化钨薄膜特性研究[J]半导体学报.1990,(05)
[2]吴名枋,赖初喜,姚淑德,王雪梅.离子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构[J]核技术.1993,(06)
[3]赖初喜;吴名枋;王雪梅;熊光成;连桂君;李杰;.ION BEAM STUDY ON EPITAXIAL GROWTH FEATURES OF YBaCuO FILMS[J]Nuclear Science and Techniques.1993,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]吴名枋;赖初喜;姚淑德;王雪梅;.离子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构[A].第八届全国核物理会议文摘集（下册）.1991-12-01
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