焦升贤
【姓名】 焦升贤
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背散射/沟道,GaN,离子注入,电阻率,辐照损伤,N~+注入,背散射,电学特性,沟道谱,迁移率,退火温度,载流子浓度,随机谱,深能级,电阻率变化,数量级,高阻,物理系,北京大学,沟道,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]周生强,姚淑德,焦升贤,孙长春,孙昌.He~+、N~+注入GaN的背散射和电学特性研究[J]原子能科学技术.2003,(01)
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[1]周生强;姚淑德;焦升贤;孙长春;孙昌;.GaN的离子辐照效应[A].Hyperfine Interaction and Nuclear Solid State Physics--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop.2001-02-01
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