王成伟
【姓名】 王成伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 隔离槽,深反应离子刻蚀,体硅MEMS,硅深槽刻蚀,线宽控制,电隔离,DRIE,MEMS,高深宽比,单片集成,刻蚀技术,微结构,填充技术,多晶硅,开口处,梳齿,超深,刻蚀时间,深槽,体硅,刻蚀条件,刻蚀...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王成伟,闫桂珍,朱泳.ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究[J]微纳电子技术.2003,(Z1)
[2]朱泳,闫桂珍,王成伟,王阳元.高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究[J]微纳电子技术.2003,(Z1)
[3]朱泳,闫桂珍,王成伟,杨振川,范杰,周健,王阳元.用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽(英文)[J]半导体学报.2005,(01)
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