万新恒
【姓名】 万新恒
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SOI器件新栅介质和辐照效应及加固技术的研究
【发表文献关键词】 SOIMOSFET,模型,辐照特性,总剂量辐照效应,MOSFET,辐照,辐照效应,部分耗尽,阈值电压漂移模型,SOI MOSFET,全耗尽,电压漂移,辐照敏感性,过渡区,SOI器件,高剂量,短沟道,辐...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]万新恒,张兴,黄如,甘学温,王阳元.SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移[J]半导体学报.2001,(03)
[2]万新恒,甘学温,张兴,黄如,王阳元.短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型[J]半导体学报.2001,(09)
[3]万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元.高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型[J]半导体学报.2001,(10)
[4]万新恒,张兴,谭静荣,高文钰,黄如,王阳元.全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型[J]电子学报.2001,(11)
[5]万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元.低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2002,(01)
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