晏懋洵
【姓名】 晏懋洵
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级,深能级杂质,深能级瞬态谱,质子注入,非晶硅太阳电池,微观结构,对称性,中子辐照,三空位,掺杂硅,等时退火,DLTS,晶向,辐照缺陷,角度变化,苯甲醛,深中心,磁共振,顺磁性,禁带,光解,EPR...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/16 0 8 3 38 1216
中国期刊全文数据库    共找到16篇
[1]杜永昌,晏懋洵.深能级瞬态谱仪[J]物理.1981,(02)
[2]晏懋洵,毛晋昌,陈开茅.用电容瞬态技术测量界面态密度[J]半导体技术.1982,(04)
[3]晏懋洵.测量半导体中深中心分布的双相关技术[J]物理.1982,(07)
[4]吴书祥,晏懋洵,华宗璐,张玉峰,杜永昌.高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(06)
[5]吴书祥,晏懋洵,杜光庭,孟祥提.用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱[J]半导体学报.1982,(03)
[6]陈开茅,毛晋昌,晏懋洵,吴恩,曾奇勇.硅中金的空穴俘获截面的研究[J]北京大学学报(自然科学版).1983,(02)
[7]秦国刚,晏懋洵.集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱[J]物理.1985,(07)
[8]杜永昌,晏懋洵,张玉峰,郭海,胡克良.原子氢、氘钝化以及质子注入掺杂硅的红外吸收[J]物理学报.1987,(11)
[9]吴书祥,晏懋洵,许惠英,毛晋昌,吴恩.中子辐照硅中一个新的EPR缺陷及氢对它的影响[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1987,(05)
[10]晏懋洵,吴书祥,许惠英,吴恩,毛晋昌,林旋英,张光华,刘嘉.非晶硅太阳电池的光伏检测磁共振研究[J]物理学报.1988,(05)
更多