徐立
【姓名】 徐立
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;图书情报与数字图书馆;
【研究方向】
【发表文献关键词】 钨膜,相移掩模,结构特性,相移,接触电阻率,快速热退火,二次缺陷,深度谱,光刻技术,光学光刻,接触电阻,微缺陷,固溶度,连通孔,欧姆接触,ULSI,硅化物,产额,角分布,溅射,杂质再分布,电阻率,子学...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/13 10 0 7 24 841
中国期刊全文数据库    共找到13篇
[1]奚雪梅，徐立，武国英，李映雪，王阳元.自对准硅化物CMOS／SOI技术研究[J]半导体学报.1995,(04)
[2]奚雪梅，徐立，闫桂珍，孟宪馨，李映雪，王阳元.超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究[J]微电子学与计算机.1995,(02)
[3]徐立，奚雪梅，武国英，李映雪，王阳元.自对准硅化物SOI／CMOS技术研究[J]微电子学与计算机.1995,(02)
[4]徐立.’95固态与集成电路技术展望[J]电子科技导报.1995,(08)
[5]徐立;.试论知识载体交流[J]图书馆学刊.1988,(04)
[6]徐立,武国英,张国炳,王阳元.1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究[J]半导体学报.1991,(06)
[7]徐立,张国炳,陈文茹,武国英,王阳元,龚里.CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究[J]半导体学报.1992,(05)
[8]张国炳,武国英,陈文茹,徐立,郝一龙,隋小平,王阳元.硅化物/硅欧姆接触特性研究[J]北京大学学报(自然科学版).1993,(05)
[9]王阳元,徐立,武国英,俞忠钰.ULSI相移光刻技术[J]电子学报.1993,(02)
[10]武国英,郝一龙,徐立,张国炳,刘晓华.AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究[J]半导体学报.1993,(02)
更多