陶江
【姓名】 陶江
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 TiSi,接触特性,子迁移率,多晶硅栅,TiSi_2,多晶硅,载流,硅化物,RC延迟,晶粒间界,反应生成,快速热退火,亚微米技术,杂质分凝,MOS电容,自对准技术,载流子输运,俄歇,电子谱,接触电阻,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]陶江.反应生成的TiSi_2薄膜特性及TiSi_2/poly Si栅结构特性、TiSi_2/n~+-Si接触特性和形貌的研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]王阳元,陶江,韩汝琦,吉利久,张爱珍.集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型[J]半导体学报.1989,(04)
[3]陶江,赵铁民,张国炳,王阳元,汪锁发,李永洪.TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究[J]半导体学报.1989,(10)
[4]陈维德,崔玉德,许振嘉,陶江.Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应[J]半导体学报.1990,(11)
[5]陶江,武国英,张国炳,孙玉秀,王阳元,都安彦.应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究[J]电子学报.1991,(04)
[6]陶江,武国英,张国炳,陈文茹,王阳元.高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响[J]半导体学报.1991,(06)
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