段小蓉
【姓名】 段小蓉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 差值取样,弛豫谱,n-MOSFET,敏度,HCI,超薄栅MOSFET,氧化层,陷阱,热载流子效应,比例差分算符,Weibull分布,寿命预测,薄栅,衬底电流,FN应力,软击穿,隧穿,热载流子,MOS器...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]王彦刚;许铭真;谭长华;段小蓉;.基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J]半导体学报.2006,(04)
[2]贾高升;许铭真;谭长华;段小蓉;.用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷[J]固体电子学研究与进展.2006,(04)
[3]王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制[J]物理学报.2005,(08)
[4]王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性[J]半导体学报.2005,(05)
[5]穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉.超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型[J]半导体学报.2001,(10)
[6]穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉.FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测[J]半导体学报.2001,(12)
[7]霍宗亮,杨国勇,许铭真,谭长华,段小蓉.利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文)[J]半导体学报.2002,(11)
[8]许铭真,谭长华,刘晓卫,何燕冬,段小蓉,王阳元.差值取样数对氧化层电流弛豫谱分辨率与灵敏度的影响[J]电子学报.1993,(02)
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