马平西
【姓名】 马平西
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶粒间界,多晶硅,发射区,少数载流子注入,电流增益,基区,氧化层,界面态密度,渡越时间,集电极电流,特征符号,空穴电流密度,注入条件,少数载流子,大注入模型,一线模拟,界面态,空穴,掺杂分布,多晶硅发...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 6 0 5 6 316
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]马平西，张利春，赵宝瑛，王阳元.多晶硅发射区晶体管的解析模型[J]半导体学报.1995,(06)
[2]马平西，张利春，王阳元.集电极电流密度和基区渡越时间的解析模型[J]半导体学报.1995,(11)
[3]马平西，张利春，赵宝瑛，王阳元.多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型[J]半导体学报.1996,(01)
[4]马平西，张利春，王阳元.多晶硅发射区晶体管（PET）温度特性的解析理论分析[J]半导体学报.1996,(02)
[5]郑云光,郭维廉,李树荣,李斌桥,王阳元,张利春,马平西.大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟[J]固体电子学研究与进展.1997,(01)
[6]马平西,张利春,王阳元.多晶硅发射区中的少数载流子注入理论[J]电子学报.1993,(08)
更多