陈文茹
【姓名】 陈文茹
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 体产生寿命,表面产生速度,TiSi_2,MOS电容,硅化物,CoSi,瞬态特性,浅结,多晶硅,炉退火,再分布,半导体表面,膜性质,高温工艺,BF_2~+注入,杂质再分布,杂质,硅栅,半导体,MOS电容...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]武国英,李志宏,陈文茹,郝一龙.VLSI多层互连可靠性　第一部分:电迁移失效(一)[J]微电子技术.1994,(01)
[2]武国英,李志宏,陈文茹,郝一龙.VLSI多层互连可靠性　第一部分　电迁移失效(二)[J]微电子技术.1994,(02)
[3]李志宏,武国英,陈文茹,郝一龙.VLSI多层互连可靠性　第二部分:应力感应失效[J]微电子技术.1994,(03)
[4]许铭真,谭长华,李树栋,陈文茹.利用MOS恒流电压瞬态特性测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度[J]北京大学学报(自然科学版).1984,(04)
[5]陶江,武国英,张国炳,陈文茹,王阳元.高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响[J]半导体学报.1991,(06)
[6]徐立,张国炳,陈文茹,武国英,王阳元,龚里.CoSi_2中As~+和BF_2~+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究[J]半导体学报.1992,(05)
[7]武国英,李志宏,郝一龙,陈文茹.单晶硅化物及其应用[J]微细加工技术.1992,(03)
[8]张国炳,武国英,陈文茹,徐立,郝一龙,隋小平,王阳元.硅化物/硅欧姆接触特性研究[J]北京大学学报(自然科学版).1993,(05)
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[1]秦复光;姚振钰;江海;刘志凯;黄大定;林兰英;武国英;郝一龙;李志宏;张国炳;陈文茹;顾页;.在有图形衬底上COSi_2的选择生长[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23
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