陈南翔
【姓名】 陈南翔
【职称】 讲师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧沉淀,两步退火,氧注入,延伸位错,SIMOX,顶部硅层,高温退火,低温退火,氧注入隔离,成核生长,过渡区,硅——绝缘体技术,埋层,MOSFET,硅-绝缘体技术,退火,短沟道,结构形成,生长速率,SO...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]陈南翔,王忠烈,黄敞.超高温退火(1400℃)对SIMOX结构性能的影响[J]半导体学报.1990,(11)
[2]陈南翔,王忠烈,黄敞.两步退火对SIMOX结构形成的影响[J]半导体学报.1990,(11)
[3]陈南翔,王忠烈,黄敞.SIMOX结构的低温(550℃)退火形成[J]微细加工技术.1991,(01)
[4]陈南翔.SIMOX:氧离子注入隔离技术[J]微细加工技术.1991,(03)
[5]陈南翔,张旭光,张美云,李映雪,王阳元.ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究[J]半导体学报.1992,(05)
[6]李映雪,张旭光,张美云,陈南翔,王阳元,李树杰,都安彦.形成SOI结构的ELO技术研究[J]半导体学报.1992,(05)
[7]王阳元,陈南翔,王忠烈.SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展[J]电子学报.1992,(05)
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