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陈凯来
【姓名】
陈凯来
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
界面态,强反型,深中心,产生寿命,MIS结构,半导,少子产生寿命,反型,少数载流子,分布测量,体表面,动力学分析,产生率,空穴,子产,表面层,半导体,MOS电容器,载流,非线,
【工作单位】
北京大学
【曾工作单位】
北京大学;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]陈开茅,陈凯来,王忠安.
MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量
[J]半导体学报.1984,(05)
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