卜伟海
【姓名】 卜伟海
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 深亚微米MOS器件物理、工艺方面的研究
【发表文献关键词】 SOI,短沟道效应,浮体效应,MOSFET,漏结构,环振,深亚微米,栅控混合管,环栅,SOI器件,电流模型,silicon-on-nothing器件,GeSi,自加热效应,散热通路,空洞层,动态阈值,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]吴大可,田豫,卜伟海,黄如.新型SON器件的自加热效应[J]半导体学报.2005,(07)
[2]黄如,卜伟海,王阳元.抑制 SOIp- MOSFET中短沟道效应的 GeSi源 /漏结构(英文)[J]半导体学报.2001,(02)
[3]卜伟海,黄如,徐文华,张兴.SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析[J]半导体学报.2001,(09)
[4]黄如,卜伟海,张兴,王阳元.深亚微米SOI横向非均匀掺杂推进型栅控混合管的准二维亚阈电流模型[J]中国科学E辑:技术科学.2001,(05)
[5]甘学温,黄爱华,卜伟海,张兴.纳米时代的新型CMOS器件[J]世界产品与技术.2001,(06)
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