爱华
【姓名】 爱华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 栅控二极管,F-N应力效应,界面陷阱,R-G电流,MOSFET/SOI,MOSFET,电应力,诱生,正向,英文,监测,累积应力,子学,Trap,IEEE,Interface,微电,北京大学,界面陷阱密...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/1 1 1 0 0 54
中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]何进黄,爱华,张兴,黄如.正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文)[J]半导体学报.2001,(08)
更多