任谦
【姓名】 任谦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 紫光LED,侧向外延生长,穿透位错,腐蚀坑密度,InGaN,氮化,MOCVD,量子阱,宽禁带半导体,金属有机,化学气相沉积,InGaN/GaN,物理学院,介观物理,侧向外延,MOCVD生长,外延缺陷,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]李忠辉,杨志坚,于彤军,胡晓东,杨华,陆曙,任谦,金春来,章蓓,张国义.MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED[J]发光学报.2003,(01)
[2]陆敏,常昕,方慧智,杨志坚,杨华,黎子兰,任谦,张国义,章蓓.对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)[J]半导体学报.2004,(11)
[3]杨志坚,胡晓东,章蓓,陆敏,陆羽,潘尧波,张振声,任谦,徐军,李忠辉,陈志忠,秦志新,于彤军,童玉珍,张国义.侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)[J]发光学报.2005,(01)
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