毛祥军
【姓名】 毛祥军
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 快速退火,上生,MOCVD,光致发光,高温快速退火,晶体质量,外延层,红移,导带,介观物理,扩散系数,跃迁,光峰,退火时间,光致发光谱,价带,能级,物理系,失配度,二次离子,生长薄层,谱主,国家重点实...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]毛祥军,杨志坚,李景,屈建勤,张国义.用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性[J]半导体学报.1999,(08)
[2]毛祥军,杨志坚,金泗轩,童玉珍,王晶晶,李非,张国义.快速退火Mg∶GaN的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(10)
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