毛思宁
【姓名】 毛思宁
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束混合,相变,硅体,薄膜相变,Xe~(2+)离子束,金属/硅体系,诱导界面反应,原子混合,离子注入,理论与实验研究,不同温度,快速弛豫过程,非晶态,辐照损伤,相互作用,热退火,中间相,离子诱导,合...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]毛思宁,杨熙宏,陈坚,刘家端,杨锋,王玗.Ni/Si体系离子束混合及相变研究[J]核技术.1988,(03)
[2]毛思宁,杨熙宏,陈坚,刘家瑞,高文玉,杨锋.几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变[J]材料科学进展.1989,(02)
[3]李玉璞,毛思宁,陈坚,刘家瑞.离子束诱导的金属-硅界面的原子混合[J]真空科学与技术.1989,(05)
[4]毛思宁,杨熙宏,陈坚,刘家瑞,高文玉,朱沛然.300keV Xe~(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应[J]原子能科学技术.1990,(05)
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