罗葵
【姓名】 罗葵
【职称】
【研究领域】 仪器仪表工业;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 发射极晶体管,双层多晶硅,复合介质L型侧墙,串联电阻,多晶硅,RCA晶体管,场发射压力传感器,场发射特性,纳米硅薄膜,ECL集成电路,多晶硅发射区,Beta,液氮温度,双极器件,晶体管,高速VLSI,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘鹏;张大成;李婷;罗葵;田大宇;李静;.多层高深宽比Si深台阶刻蚀方法[J]微纳电子技术.2009,(12)
[2]廖波,谢君堂,仲顺安,王静静,张大成,李婷,郝一龙,罗葵.纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用[J]中国科学E辑:技术科学.2003,(03)
[3]张利春,高玉芝,金海岩,倪学文,莫邦燹,宁宝俊,罗葵,叶红飞,赵宝瑛,张广勤.超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路[J]半导体学报.2001,(03)
[4]叶红飞,高玉芝,金海岩,罗葵,宁宝俊,莫邦燹,张广勤,张利春.77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路[J]半导体学报.2001,(09)
[5]赵宝瑛，何美华，罗葵，张利春.超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量[J]电子学报.1996,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]田大宇;宁宝俊;马连荣;孟宪馨;邓珂;王玮;罗葵;张录;陈鸿飞;邹积清;施伟红;邹鸿;.敏感层100μm硅探测器的研制[A].中国空间科学学会空间探测专业委员会第十八次学术会议论文集（下册）.2005-10-01
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