刘晓彦
【姓名】 刘晓彦
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;物理学;
【研究方向】 新器件结构、蒙特卡洛器件模拟和深亚微米MOSFET模拟研究
【发表文献关键词】 栅介质,二氧化铪薄膜,高介电常数栅介质,量子化效应,UTB结构,电学特性,反型层电荷,纳电子学,等比例缩小,系统芯片,泄漏电流输运机制,Schottky发射,微电子技术,双栅器件,微机电系统,硅膜,功...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到64篇
[1]张先乐;常鹏鹰;杜刚;刘晓彦;.Role of remote Coulomb scattering on the hole mobility at cryogenic temperatures in SOI p-MOSFETs[J]Chinese Physics B.2020,(03)
[2]李金培;杜刚;刘力锋;刘晓彦;.InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2020,(06)
[3]沈磊;刘力桥;郝好;杜刚;刘晓彦;.Time-dependent crosstalk effects for image sensors with different isolation structures[J]Chinese Physics B.2018,(08)
[4]邸绍岩;沈磊;伦志远;常鹏鹰;赵凯;卢朓;杜刚;刘晓彦;.Investigation of the surface orientation influence on 10-nm double gate GaSb nMOSFETs[J]Chinese Physics B.2017,(04)
[5]伦志远;李云;赵凯;杜刚;刘晓彦;王漪;.Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level[J]Chinese Physics B.2016,(08)
[6]刘晓彦;杜刚;.面向16纳米及以下技术代的工艺、器件与电路建模和模拟2013年度报告[J]科技创新导报.2016,(09)
[7]张兴;刘晓彦;.超低功耗高性能集成路器件与工艺基础研究立项报告[J]科技创新导报.2016,(08)
[8]陈键;杜刚;刘晓彦;.Threshold switching uniformity in In_2Se_3 nanowire-based phase change memory[J]Chinese Physics B.2015,(05)
[9]方民权;张卫民;张理论;曾琅;刘晓彦;尹龙祥;.基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器[J]计算机工程与科学.2015,(04)
[10]王泰寰;伦志远;矫亦朋;刘晓彦;杜刚;.电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟[J]北京大学学报(自然科学版).2014,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]杜刚;刘晓彦;孙雷;韩汝琦;.50nm肖特基隧穿晶体管(SBTT)特性模拟[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
[2]刘晓彦;孙雷;杜刚;韩汝琦;.肖特基隧道晶体管中的量子效应[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]刘晓彦;.纳米尺度半导体器件中热的产生与输运问题研究[A].北京大学;.项目经费 7万元.2007-03-31.资助文献数 0 篇
[2]刘晓彦.双栅肖特基隧道晶体管研究[A].北京大学.项目经费 30万元.2003-03-31.资助文献数 0 篇
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