何进黄
【姓名】 何进黄
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 栅控二极管,F-N应力效应,界面陷阱,R-G电流,MOSFET/SOI,MOSFET,电应力,诱生,正向,英文,监测,累积应力,子学,Trap,IEEE,Interface,微电,北京大学,界面陷阱密...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]何进黄,爱华,张兴,黄如.正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文)[J]半导体学报.2001,(08)
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