郭长志
【姓名】 郭长志
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双区共腔,单模半导体激光器,光谱线宽,自发发射因子,涨落,双稳态,单模,光子数,纵向耦合,几率分布,载流子,线宽压缩,开关过程,相互作用,外腔半导体激光器,模谱,色散关系,小信号解,半导体激光器,模式...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]郭长志,陈水莲,张永航.红外子带间量子级联激光器的短波极限[J]红外与毫米波学报.2001,(01)
[2]朴海镇,陈辰嘉,郭长志.GaInAs/AlInAs量子阱激光器特性——价带间光吸收对微分量子效率和特征温度的影响[J]半导体光电.1999,(01)
[3]郭九苓,王舒民,陈水莲,郭长志.半导体中法诺态及其相应的光谱特性——半导体Ⅱ类量子阱中能带结构[J]半导体光电.1999,(02)
[4]张权生,刘峰奇,王占国,郭长志,陈水莲.量子级联激光器[J]量子电子学报.1999,(06)
[5]朴海镇,陈辰嘉,郭长志.镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响[J]半导体光电.1998,(06)
[6]陈娓兮,李国华,钮金真,郭长志.非均匀掺杂P-型GaAs红外等离子体反射光谱的计算[J]半导体学报.1980,(01)
[7]郭长志,李国华,张敬明,郑宝贞.高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响[J]发光与显示.1981,(02)
[8]刘弘度,冯哲川,郭长志.掩蔽与选择性热氧化GaAs—GaAlAs多层结构中的应力和光弹性效应[J]光学学报.1983,(06)
[9]楚珏辉,郭长志.n-型锗的磁阻与能带结构[J]北京大学学报(自然科学版).1983,(01)
[10]郭长志,李国华.高掺杂半导体中补偿程度和注入水平对带尾结构的影响[J]半导体学报.1983,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张权生;刘峰奇;王占国;郭长志;陈水莲;.量子级联激光器[A].第四届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集.1999-11-01
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