方慧智
【姓名】 方慧智
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaN,穿透位错,MOCVD,缓冲层,腐蚀坑密度,SCH,MQW,AlGaN/GaN/InGaN,腐蚀坑,氮化,宽禁带半导体,MOCVD生长,氮化镓,物理学院,介观物理,外延生长,GaN薄膜,腐蚀方法...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]陆敏,方慧智,陆曙,黎子兰,杨华,章蓓,张国义.腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性[J]半导体学报.2004,(04)
[2]陆敏,方慧智,张国义.AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)[J]半导体学报.2004,(05)
[3]陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义.多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J]半导体学报.2004,(05)
[4]陆敏,常昕,方慧智,杨志坚,杨华,黎子兰,任谦,张国义,章蓓.对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)[J]半导体学报.2004,(11)
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