杜永昌
【姓名】 杜永昌
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 点缺陷,中子辐照,氢气氛,单空位,双空位,荷电状态,p型硅,辐照,空穴陷阱,质子注入,区熔硅,直拉硅,硅原子,深能级中心,组态模型,点群对称,施主能级,能级,晶格空位,P型硅,衍射花样,禁带,顺磁性,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]杜永昌,晏懋洵.深能级瞬态谱仪[J]物理.1981,(02)
[2]秦国刚,张玉峰,杜永昌,吴书祥,张丽珠,陈开茅.用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法[J]半导体学报.1981,(03)
[3]张玉峰,孟军,杜永昌,吴书祥.用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(04)
[4]吴书祥,晏懋洵,华宗璐,张玉峰,杜永昌.高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷[J]北京大学学报(自然科学版).1982,(06)
[5]秦国刚,杜永昌,张玉峰.用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布[J]半导体学报.1982,(02)
[6]张玉峰,张丽珠,吴书祥,杜永昌.用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷[J]半导体学报.1982,(03)
[7]李元恒,张玉峰,吴书祥,杜永昌.扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性[J]半导体学报.1982,(04)
[8]杜永昌,李高斌,黎宏志,张玉峰.用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度[J]物理.1983,(11)
[9]孟祥提,张秉忠,杜永昌,张玉峰.中子辐照和掺杂区熔硅的DLTS缺陷和少子寿命[J]半导体技术.1984,(03)
[10]杜永昌,张玉峰,秦国刚,孟祥提.中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷[J]物理学报.1984,(04)
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