戴伦
【姓名】 戴伦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 微盘激光器,衍射特性,InGaAsP/InP,实验研,光学微盘,亚微米,光辅助,半导体GaN,微盘,量子阱,TE波,TM波,GaN,异质,半导体激光器,单量子阱,腐蚀速率,刻槽,拉曼散射,湿法腐蚀,有...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]付学文;廖志敏;叶堉;徐军;戴伦;朱瑞;郭万林;俞大鹏;.弯曲硒化镉纳米线中外侧拉伸应变主导的激子发光(英文)[J]Science China Materials.2014,(01)
[2]刘丹;马仁敏;王菲菲;张增星;张振生;张学进;王笑;白永强;朱星;戴伦;章蓓;.纳米集成光路中的光源、光波导和光增强[J]物理学报.2008,(01)
[3]刘仕锋,秦国刚,尤力平,张纪才,傅竹西,戴伦.在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥[J]物理学报.2005,(09)
[4]栾峰,章蓓,戴伦,刘伟,王大军,钱怡,徐军,黄岩谊,黄春辉.有机半导体光学微盘及其带有微结构的微盘[J]量子电子学报.2000,(05)
[5]张纪才,戴伦,秦国刚,应丽贞,赵新生.离子注入GaN的拉曼散射研究[J]物理学报.2002,(03)
[6]袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华.SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er~(3+)1.54μm波长的电致发光[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
[7]张纪才,戴伦,秦国刚.Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响[J]红外与毫米波学报.2002,(05)
[8]章蓓,王若鹏,丁晓民,杨志坚,戴伦,崔晓明,王舒民.InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究[J]红外与毫米波学报.1995,(04)
[9]郑师海,李德华,陈岩松,戴伦.微米亚微米有限凹槽衍射特性的实验研究[J]物理学报.1996,(08)
[10]章蓓,黄其煜,周大勇,戴伦,张国义.氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀[J]半导体学报.1998,(09)
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]戴伦;.纳米化合物半导体高效率电致发光和激光的基础研究[A].北京大学;.项目经费 43万元.2007-03-31.资助文献数 0
[2]戴伦;.由交叉的单根n型直接禁带半导体纳米线和单根p型硅纳米线形成的纳米异质结电致发光与激光[A].北京大学;.项目经费 28万元.2005-03-31.资助文献数 2
[3]戴伦;.III族氮化物半导体单根纳米线微腔电致发光和激光[A].北京大学;.项目经费 31万元.2003-03-31.资助文献数 2
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