陈志涛
【姓名】 陈志涛
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高分辨XRD,摇摆曲线,穿透位错,线形拟合,必要性,半峰宽,长时间,退火,材料结构,腐蚀坑密度,腐蚀实验,薄膜,射线衍射,样品,位错密度,相干长度,倾斜角,表征,单调关系,化学,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]陈志涛;徐科;杨志坚;苏月永;潘尧波;杨学林;张酣;张国义;.线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性[J]半导体学报.2006,(08)
[2]苏月永;陈志涛;徐科;郭立平;潘尧波;杨学林;杨志坚;张国义;.用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)[J]发光学报.2006,(04)
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[1]姜显哲;杨学林;张法法;陈志涛;王存达;张国义;.MOCVD生长GaMnN多层膜磁学性质的热处理稳定性研究[A].第十二届全国MOCVD学术会议论文集.2012-04-11
[2]张国义;杨学林;陈志涛;.GaMnN-DMS and Spin-LED[A].介观光学及其应用研讨会论文集.2007-01-01
[3]张国义;陈志涛;杨学林;.GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01
[4]陈志涛;杨学林;杨志坚;张国义;.MOCVD Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
[5]杨学林;陈志涛;杨志坚;于彤军;张国义;.MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
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