陈占平
【姓名】 陈占平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 薄膜双栅,硅膜,反型,双栅,最低电位,电流模,MOSFET,阈值电压,电流模型,栅氧化层,载流,漏电流,正界面,背栅,阳元,模拟结果,表面电位,不同参数,实验值,掺杂浓度,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】
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[1]陈占平，魏丽琼，许铭真，谭长华，王阳元.通用薄膜双栅SOI　MOSFET电流模型[J]半导体学报.1996,(10)
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