陈英勇
【姓名】 陈英勇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 混溶隙,InGaN,应力,相互作用系数,四面体,微观应力,相分离,Interne,InGaN/GaN,有效弹性常数,临界温,气相外延,晶格扭曲,原子,伸和,介观物理,C原子,晶体质量,金属有机物,带隙,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/1 1 1 0 4 170
中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]童玉珍,陈英勇,张国义.InGaN混溶隙的计算[J]半导体学报.2000,(07)
更多