李灿国
【姓名】 李灿国
【职称】
【研究领域】 数学;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 直拉硅,深能级,半导体,秦国,质子注入,离子注,n型,p型,空穴陷阱,一价,学报,DLTS,区熔硅,电子辐照,Fermi能级,双空位,退火温度,能级分布,载流子浓度,等时退火,费米能级,禁带,p型硅,...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 天津
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[1]李灿国,姚秀琛,秦国刚.质子注入直拉硅中缺陷的研究[J]半导体学报.1986,(04)
[2]秦国刚,李灿国,姚秀琛,虞福春.在存在高浓度深能级情况下确定各深能级分布的理论与实践[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1987,(05)
[3]秦国刚,李灿国,姚秀琛,虞福春.THEORY AND PRACTICE ON DETERMINATION OF DEEP LEVEL PROFILES IN MULTIHIGH-DENSITY-LEVEL CASE[J]Science in China,Ser.A.1988,(01)
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