康晋峰
【姓名】 康晋峰
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化物薄膜,外延生长,YBa_2Cu_3O_7,超导,钙钛矿结构,层厚度,衬底温度,超导零电阻温度,原胞,薄膜样品,超导转变,异质,电阻,外延薄膜,超导薄膜,磁通运动,成相,零电阻,外延,三步法,成核...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
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[1]吴畏;杜刚;刘晓彦;孙雷;康晋峰;韩汝琦;.A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect[J]半导体学报.2011,(05)
[2]熊光成,连贵君,康晋峰,孙云锋.异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜[J]低温物理学报.1999,(04)
[3]连贵君,李美亚,康晋峰,郭建东,孙云峰,熊光成.钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长[J]物理学报.1999,(10)
[4]连贵君,王志海,康晋峰,熊光成.超薄超导YBa_2Cu_3O_7薄膜的外延生长和电阻温度关系[J]低温物理学报.1998,(01)
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